RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Confronto
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
31
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
13.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
20
31
Velocità di lettura, GB/s
19.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3252
3142
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Confronto tra le RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link