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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Confronto
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2348
2706
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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