RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3394
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link