RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
12.6
22.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
17.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
3938
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link