RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
80
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
80
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
1775
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link