RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
14.4
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
1989
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link