RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
56
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
56
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link