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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
49
Velocità di lettura, GB/s
17.8
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
15.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3867
2413
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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