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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
28
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
19
Velocità di lettura, GB/s
12.4
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
3681
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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