RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
62
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
33
Velocità di lettura, GB/s
7.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3166
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link