Confronto tra le RAM Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 20.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,475.5 15.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 56

Intorno -81% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 8800

Intorno 2.91 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

598 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns