RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
26
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1994
3938
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link