RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.5
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3026
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link