RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2665
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link