RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
75
Intorno -226% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
23
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2591
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link