RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
73
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
73
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
1843
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link