RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.8
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
10.5
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2349
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link