RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
81
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
81
Velocità di lettura, GB/s
15.8
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
1456
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link