RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2714
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link