RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
13.9
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3271
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link