RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
92
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
32
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2714
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link