RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
90
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
90
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
1743
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link