RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Jinyu 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Jinyu 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Jinyu 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Jinyu 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
61
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Jinyu 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
21
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
3209
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Jinyu 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link