RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
54
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
26
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2855
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link