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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3731
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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