RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
68
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
2,636.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
54
Velocità di lettura, GB/s
4,540.8
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,636.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
827
2226
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link