RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
24
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2462
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link