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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
5300
Intorno 4.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
23400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
2913
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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