RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3861
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link