RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3942
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link