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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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