RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2243
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link