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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
24
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2113
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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