Confronto tra le RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

43 122

Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.9 9.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.6 5.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2506 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns