RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
46
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
21
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2801
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link