RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
4129
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link