RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
81
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
81
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
1634
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link