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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 64
    Intorno 44% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17 left arrow 15
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 64
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.0 left arrow 17.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.3 left arrow 8.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2569 left arrow 2103

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Memoria RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Memoria RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
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