RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2611
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link