RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
17.6
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3341
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link