Confronto tra le RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

23 30

Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.4 11.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.0 6.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2269 1254

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns