RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3337
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link