RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2882
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link