RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2648
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link