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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3680
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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