RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3140
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link