RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
49
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
21
Velocità di lettura, GB/s
10.2
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3350
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link