RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3741
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link