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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2933
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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