RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3439
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link